此次发布的行业计量技术规范,5.实验室危化品管理 6.实验室建设及管理的相关标准

等线由中国仪器仪表行业协会主办,中国出入境检验检疫协会协办,中国仪器仪表学会分析仪器分会等单位承办的“第二届中国实验室发展大会(CLC
2020)”,定于2020年3月4日-5日在北京·国家会议中心召开。大会以智慧·安全·绿色为主题,聚焦我国实验室建设与管理、实验室安全、智慧实验室、认可认证、比对与质量控制等话题,邀请国内外知名专家及企业代表,就广大实验室科研、管理人员所关注的热点、难点等关键问题展开讨论,为中国实验室发展带来前沿资讯和科学解决方案。  首届中国实验室发展大会于2019年3月在京成功举办,为期两天的会议,进行了近60场报告,吸引了600余位全国各地实验室从业者参与。会议就实验室认证认可及标准、环境实验室、互联网+、高校实验室、医学实验室、食品安全、高级别实验室及仪器校准方面等相关议题进行了深入探讨,促进了我国实验室的发展。  
时间地点  时间:2020年3月4日-5日(2020年3月3日全天报到)地点:国家会议中心(北京市朝阳区天辰东路7号)
组织单位  主办单位:中国仪器仪表行业协会  协办单位:中国出入境检验检疫协会  承办单位:中国仪器仪表学会分析仪器分会  北京朗普展览有限公司  北京中仪雄鹰国际会展有限公司  
会议规模:1000人   论坛形式  1
主题报告:拟邀请国家市场监督管理总局、海关总署、认监委、认可委等国家政府主管部门负责人,两院院士,行业知名专家,企业家就我国实验室管理及检测技术宏观市场环境、发展趋势、政策解读等内容作特约报告。  2
专题报告:拟邀医疗、食品、环境、材料等业内专家作精彩演讲。  3
嘉宾论坛:拟邀请业内专家、重点实验室负责人、国内外知名第三方检测机构负责人等展开讨论。  4
壁报交流:拟从征集到的论文里评选出比较优秀的论文做成展报,以供参会代表交流学习。  
大会日程  2020年3月3日(星期二)  08:00 –
17:00参会代表注册报到  2020年3月4日(星期三)  08:00 –
09:00注册报到  09:00 – 09:30开幕式  09:30 –
17:301.“十四五”新规划对实验室发展的启示 2.检验检测的国际互认规则与发展
3.我国检验检测及认证产业的现状和发展趋势 4.智慧实验室的探索
5.实验室危化品管理 6.实验室建设及管理的相关标准
7.我国实验室认证与认可的发展与改革 8.当前形势下我国实验室的发展方向
9.环境实验室 10.实验室创新管理理念与新技术的探讨
11.实验室国际比对和质量控制 12.智能检验及智能化实验室的建设
13.绿色实验室
14.国内外知名企业最新实验室技术2020年3月5日(星期四)  9:30 –
12:001.实验室认可认证及相关标准 2.医疗实验室建设与管理
3.食品安全实验室建设与管理 4.环境实验室建设与管理 5.实验室信息化
6.固体材料纯度分析12:00 – 13:00午餐及参观展览  13:00 –
15:001.实验室认可认证及相关标准 2.医疗实验室建设与管理
3.食品安全实验室建设与管理 4.环境实验室建设与管理 5.实验室结果对比及校对
6.固体材料纯度分析 ù
会议注册费和截止日期  2019年12月31日以前报名:1600元/人(同一单位3人及以上报名按优惠价1200元/人)2020年1月1日-2月29日报名:2000元/人(同一单位3人及以上报名按优惠价1600元/人)2020年3月1日后报名:2500元/人(同一单位3人及以上报名按优惠价1800元/人)注册费包含:会议报告及材料、两顿午餐、作者同意拷贝的PPT、住宿酒店优惠等。  
参会群体  1
相关部门:各有关部委、局等政府主管部门、国家认监委、各省市质监局、出入境检验检疫局、等相关部门领导;2
专家学者:国内外专家学者;  3
机构及院所:各省市质检科研院(所)、国家各行业质检中心、国内外检验检测机构、认证机构、国家重点实验室科研院所、高等院校、第三方实验室;4
全国各地的实验室管理人员、技术负责人、质量负责人及大型企业研发中心;5
仪器生产企业;  6
用户企业:纺织、食品、建筑业和水利、汽车、环境、药品、日用化工等大型企业检验检测部门负责人;7
协会媒体:国内相关领域的行业协会、学会、国内外专业领域权威媒体。  °
大会赞助  主要赞助:钻石赞助、白金赞助、黄金赞助、分会场赞助餐饮赞助:答谢晚宴、午餐赞助、茶歇赞助  物料赞助:大会资料袋、挂带及胸牌  有意赞助请向大会组委会索取详细赞助方案,赞助方案包括收费标准、赞助名额及回报方案,大会组委会联系电话:010-62936856。  
演讲机会  1.大会报告的赞助费3万元(20分钟)  2.分会场报告1万元(20分钟)  
参展费用  1 标准展位:8800元/个  2 角标展位:9800元/个  3
光地:880元/平米  十一、联系方式  地址:北京市海淀区强佑清河新城A座919  电话:010-62928975  传真:010-62957691
标签: 实验室

中华人民共和国工业和信息化部公告:批准《普通V带(无扭矩)疲劳试验机校准规范》等88项行业计量技术规范(技术规范编号、名称、主要内容及实施日期)。其中石化行业计量技术规范14项、建材行业计量技术规范9项、机械行业计量技术规范16项、轻工行业计量技术规范15项、纺织行业计量技术规范6项、电子行业计量技术规范17项、通信行业计量技术规范11项,现予公布。行业标准修改单自发布之日起实施。  此次发布的行业计量技术规范,涉及多种仪器仪表,如橡胶无转子硫化仪、光热反射镜反射比测量仪、负压筛析仪、玻璃表面应力检测仪、水泥雷氏夹膨胀测定仪、水泥电动抗折试验机、泵用异步电机性能试验台、轴承残磁仪、圆锥滚子轴承滚道直径和锥角检查仪、机动车道路试验用车轮转速测试仪、冷媒检漏仪、手表防震试验仪、纺织品远红外发射率测试仪、全球导航卫星系统(GNSS)信号转发器、阻尼振荡磁场发生器、大型地网接地阻抗测试仪、循环伏安溶出分析仪、甚近场天线测量仪、光缆普查仪、光纤识别仪等等。
标签: 仪器仪表

近期,中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子束缚,突破了紫外LED发光性能。相关研究以Unambiguously
Enhanced Ultraviolet Luminescence of AlGaN Wavy Quantum Well Structures
Grown on Large Misoriented Sapphire
Substrate为题发表于《先进功能材料》。  紫外线虽然在太阳光中能量占比仅5%,但却广泛应用于人类生活。目前紫外光应用包括印刷固化、钱币防伪、皮肤病治疗、植物生长光照、破坏微生物如细菌、病毒等分子结构,因此广泛应用于空气杀菌、水体净化和固体表面除菌消毒等领域。传统的紫外光源一般是采用汞蒸气放电的激发态来产生紫外线,有着功耗高、发热量大、寿命短、反应慢、有安全隐患等诸多缺陷。新型的深紫外光源则采用发光二极管(light
emitting diode:
LED)发光原理,相对于传统的汞灯拥有诸多的优点。其中最为重要的优势在于其不含有毒汞元素。《水俣公约》的实施,预示2020年将全面禁止含有汞元素紫外灯的使用。因此,开发出一种全新的环保、高效紫外光源,成为摆在人们面前的一项重要挑战。  而基于宽禁带半导体材料(GaN,AlGaN)的深紫外发光二极管(deep
ultraviolet LED: DUV
LED)成为这一新应用的不二选择。这一全固态光源体系体积小、效率高,寿命长,仅仅是拇指盖大小的芯片,就可以发出比汞灯还要强的紫外光。其中的奥秘主要取决于III族氮化物这种直接带隙半导体材料:导带上的电子与价带上的空穴复合,从而产生光子。而光子的能量则取决于材料的禁带宽度,科学家们则可以通过调节AlGaN这种三元化合物中的元素组分,精密地实现不同波长的发光。然而,要想实现紫外LED的高效发光并不总是那么容易。研究者们发现,当电子和空穴复合时,并不总是一定产生光子,这一效率被称为内量子效率(internal
quantum efficiency:
IQE)。  在0.2和4度斜切角蓝宝石衬底上制备的深紫外LED光致发光光谱和器件示意图,有源区透射电子显微镜展示了高分辨多量子阱结构图,和输出功率的对比图。  孙海定和龙世兵课题组巧妙通过调控蓝宝石衬底的斜切角,大幅提升紫外LED的IQE和器件发光功率。课题组发现,当提高衬底的斜切角时,紫外LED内部的位错得到明显抑制,器件发光强度明显提高。当斜切角衬底达到4度时,器件荧光光谱的强度提升了一个数量级,而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。  与传统紫外LED结构不同的是,这种新型结构内部的发光层——多层量子阱(MQW)内势阱和势垒的厚度并不是均匀的。借助于高分辨透射电子显微镜,研究人员得以在微观尺度分析仅仅只有几纳米的量子阱结构。研究表明,在衬底的台阶处,镓(Ga)原子会出现聚集现象,这导致了局部的能带变窄,并且随着薄膜的生长,富Ga和富Al的区域会一直延伸至DUV
LED的表面,并且在三维空间内出现扭曲、弯折,形成三维的多量子阱结构。研究者们称这一特殊的现象为:Al,Ga元素的相分离和载流子局域化现象。值得指出的是,在铟镓氮(InGaN)基的蓝光LED体系中,In由于和Ga并不100%互溶,导致材料内部出现富In和富Ga的区域,从而产生局域态,促进载流子的辐射复合。但在AlGaN材料体系中,Al和Ga的相分离却很少见到。而此工作的重要意义之一就在于人为调节材料的生长模式,促进相分离,并因此大大改善了器件的发光特性。  通过在4度斜切角衬底上优化外延生长调节,研究人员摸索到了一种最佳的DUVLED结构。该结构的载流子寿命超过了1.60
ns,而传统器件中这一数值一般都低于1ns。进一步测试芯片的发光功率,科研人员发现其紫外发光功率比传统基于0.2度斜切角衬底的器件强2倍之多,如图所示。这更加确信无疑地证明了,AlGaN材料可以实现有效的相分离和载流子局域化现象。除此之外,实验人员还通过理论计算模拟了AlGaN
多量子阱内部的相分离现象以及势阱、势垒厚度不均一性对发光强度和波长的影响,理论计算与实验都实现了十分吻合。  此项研究将会为高效率的全固态紫外光源的研发提供新的思路。这种思路无需昂贵的图形化衬底,也不需要复杂的外延生长工艺。而仅仅依靠衬底的斜切角的调控和外延生长参数的匹配和优化,就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度,为高功率深紫外LED的大规模应用奠定实验和理论基础。  孙海定为论文的第一作者和共同通讯作者。该项目联合中国科学院宁波材料科学与工程研究所研究员郭炜和叶继春、华中科技大学教授戴江南和陈长清、河北工业大学教授张紫辉、沙特阿卜杜拉国王科技大学教授Boon
Ooi和Iman
Roqan一起攻关完成。该研究工作得到国家自然科学基金委、中科院、中国科大等单位的支持。部分样品加工工艺在中国科大微纳研究与制造中心完成。 
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